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Memoria RAM para Notebook 16GB DDR5 4800MT/s CL40 Kingston ValueRAM SODIMM
SKU: 26069 | NÚMERO DE PARTE: KVR48S40BS8-16 | CONDICIÓN: NUEVO
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Memoria RAM para Notebook 16GB DDR5 4800MT/s CL40 Kingston ValueRAM SODIMM
Kingston Valueram Ddr5 Módulo 16 Gb So Dimm De 262 Contactos 4800 Mhz
Características Claves
- Tecnología DDR5
- Capacidad 16 GB
- Diseño SO DIMM de 262 contactos
- Velocidad de 4800 MHz / PC5-38400
- Latencia de CL40
- Sin búfer – on-die ECC
Mayor rendimiento de la velocidad de arranque.
DDR5 debuta a 4800 MHz, mientras que DDR4 alcanza un máximo de 3200 MHz. Esto representa un aumento del 50% en el ancho de banda. En consonancia con los lanzamientos de plataformas informáticas, DDR5 ha planificado aumentos de rendimiento que escalarán a 6400 MHz.
Reducción de potencia / mayor eficiencia.
A 1,1 V, DDR5 consume un 20 % menos de energía que los componentes equivalentes de DDR4 a 1,2 V. Además de conservar la duración de la batería en las computadoras portátiles, también tiene una ventaja significativa para los servidores empresariales que trabajan las 24 horas.
PMIC.
Los módulos DDR5 cuentan con circuitos integrados de administración de energía (PMIC) integrados, que ayudan a regular la energía requerida por los diversos componentes del módulo de memoria (DRAM, registro, concentrador SPD, etc.). Para módulos de clase de servidor, el PMIC usa 12V; para módulos de clase PC, utiliza 5V. Esto permite una mejor distribución de energía en comparación con las generaciones anteriores, mejora la integridad de la señal y reduce el ruido.
centro SPD.
DDR5 utiliza un nuevo dispositivo que integra la EEPROM Serial Presence Detect (SPD) con funciones de concentrador adicionales, administra el acceso al controlador externo y desacopla la carga de memoria en el bus interno de la externa.
| Características | |
|---|---|
| Memoria interna | 16 GB |
| Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 16 GB |
| Tipo de memoria interna | DDR5 |
| Velocidad de memoria del reloj | 4800 MHz |
| Componente para | Portátil |
| Forma de factor de memoria | 262-pin SO-DIMM |
| ECC | No |
| Tipo de memoria con búfer | Unregistered (unbuffered) |
| On-Die ECC | Si |
| Latencia CAS | 40 |
| Clasificación de memoria | 1 |
| Voltaje de memoria | 1.1 V |
| Tiempo de ciclo de fila | 48 ns |
| Tiempo de actualización de ciclo de fila | 295 ns |
| Tiempo activo en fila | 32 ns |
| Placa de plomo | Oro |
| Estándar JEDEC | Si |
| Condiciones ambientales | |
|---|---|
| Intervalo de temperatura operativa | 0 – 85 °C |
| Intervalo de temperatura de almacenaje | -55 – 100 °C |
| Detalles técnicos | |
|---|---|
| Certificados de sostenibilidad | RoHS |
| Peso y dimensiones | |
|---|---|
| Ancho | 69,6 mm |
| Altura | 30 mm |
| Otras características | |
|---|---|
| Código de Sistema de Armomización (SA) | 84733020 |
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