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Memoria RAM Kingston 32GB 4800MHz DDR5 Non-Ecc CL40 SODIMM 2Rx8 1.1v
SKU: 27980 | NÚMERO DE PARTE: KVR48S40BD8-32 | CONDICIÓN: NUEVO
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Memoria RAM Kingston 32GB 4800MHz DDR5 Non-Ecc CL40 SODIMM 2Rx8 1.1v
La Kingston KVR48S40BD8-32 es una memoria RAM SODIMM DDR5 de 32 GB con una velocidad de 4800 MT/s, diseñada para brindar un rendimiento excepcional y confiabilidad a sus dispositivos compatibles. Este módulo de memoria no ECC es ideal para usuarios que buscan mejorar el rendimiento de sus computadoras portátiles, estaciones de trabajo móviles o sistemas de pequeño factor de forma.
Con su capacidad de 32 GB, esta memoria RAM permite a su dispositivo manejar múltiples aplicaciones y tareas simultáneamente sin ralentizar el sistema. La tecnología DDR5 ofrece una velocidad de transferencia de datos más rápida y una mayor eficiencia energética en comparación con las generaciones anteriores de memoria DDR. Además, su tensión de funcionamiento de 1.1 V ayuda a reducir el consumo de energía y la generación de calor, lo que resulta en un funcionamiento más fresco y silencioso.
La Kingston KVR48S40BD8-32 está respaldada por la confiabilidad y calidad de la marca Kingston, garantizando un rendimiento constante y duradero para su dispositivo. Actualice su sistema con esta memoria RAM de alto rendimiento y experimente una mejora significativa en la velocidad y capacidad de respuesta de su equipo.
Características
Memoria interna 32 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 32 GB
Tipo de memoria interna DDR4
Velocidad de memoria del reloj 2666 MHz
Componente para Portátil
Forma de factor de memoria 260-pin SO-DIMM
Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered) ECC
Latencia CAS 19
Voltaje de memoria 1.2 V
| Características | |
|---|---|
| Memoria interna | 32 GB |
| Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 32 GB |
| Tipo de memoria interna | DDR5 |
| Velocidad de memoria del reloj | 4800 MHz |
| Componente para | Portátil |
| Forma de factor de memoria | 262-pin SO-DIMM |
| ECC | No |
| Tipo de memoria con búfer | Unregistered (unbuffered) |
| On-Die ECC | Si |
| Latencia CAS | 40 |
| Clasificación de memoria | 2 |
| Voltaje de memoria | 1.1 V |
| Configuración de módulos | 4096M x 64 |
| Tiempo de ciclo de fila | 48 ns |
| Tiempo de actualización de ciclo de fila | 295 ns |
| Tiempo activo en fila | 32 ns |
| Programador de potencia de voltaje (VPP) | 1,8 V |
| Placa de plomo | Oro |
| Estándar JEDEC | Si |
| Condiciones ambientales | |
|---|---|
| Intervalo de temperatura operativa | 0 – 85 °C |
| Intervalo de temperatura de almacenaje | -55 – 100 °C |
| Sostenibilidad | |
|---|---|
| Certificados de sostenibilidad | RoHS |
| Peso y dimensiones | |
|---|---|
| Ancho | 69,6 mm |
| Altura | 30 mm |
| Datos logísticos | |
|---|---|
| Código de Sistema de Armomización (SA) | 84733020 |
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