Memoria RAM Kingston 8GB DDR3 1600MHz CL11, DIMM Unbuffered (MPN KVR16N11/8WP, Memorias RAM para PC) img-1
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Memoria RAM Kingston 8GB DDR3 1600MHz CL11, DIMM Unbuffered

ID: 6486 MPN: KVR16N11/8WP

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Memoria RAM Kingston 8GB DDR3 1600MHz CL11, DIMM Unbuffered

Kingston de 8GB DDR3

Características Claves

  • Módulo de 8 GB de memoria DDR3 de 1600 MHz
  • Diseñado y probado específicamente para compatibilidad en varios dispositivos
  • DIMM sin búfer de 240 pines

Especificaciones

Memoria interna 8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 8 GB
Tipo de memoria interna DDR3
Velocidad de memoria del reloj 1600 MHz
Componente para PC/servidor
Forma de factor de memoria 240-pin DIMM
Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)
Latencia CAS 11
Clasificación de memoria 2
Voltaje de memoria 1.5 V
Configuración de módulos 1024M x 64
Tiempo de ciclo de fila 48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila 260 ns
Tiempo activo en fila 35 ns
Perfil SPD Si
Placa de plomo Oro
Estándar JEDEC Si
Intervalo de temperatura operativa 0 – 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje -55 – 100 °C
Ancho 133,3 mm
Altura 18,8 mm
Características
Memoria interna 8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 8 GB
Tipo de memoria interna DDR3
Velocidad de memoria del reloj 1600 MHz
Componente para PC/servidor
Forma de factor de memoria 240-pin DIMM
ECC No
Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)
Latencia CAS 11
Clasificación de memoria 2
Voltaje de memoria 1.5 V
Configuración de módulos 1024M x 64
Tiempo de ciclo de fila 48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila 260 ns
Tiempo activo en fila 35 ns
Perfil SPD Si
Placa de plomo Oro
Estándar JEDEC Si
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa 0 – 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje -55 – 100 °C
Peso y dimensiones
Ancho 133,3 mm
Altura 18,8 mm
Memoria
Cantidad de módulos 1

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Especificaciones

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Tipo de memoria interna DDR3
Velocidad de memoria del reloj 1600 MHz
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Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)
Latencia CAS 11
Clasificación de memoria 2
Voltaje de memoria 1.5 V
Configuración de módulos 1024M x 64
Tiempo de ciclo de fila 48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila 260 ns
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Intervalo de temperatura de almacenaje -55 – 100 °C
Ancho 133,3 mm
Altura 18,8 mm
Características
Memoria interna 8 GB
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Tipo de memoria interna DDR3
Velocidad de memoria del reloj 1600 MHz
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