Memoria RAM 4GB DIMM Kingston 1600Mhz DDR3 CL11 (MPN KVR16N11S8/4WP, Memorias RAM para PC) img-1
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Memoria RAM 4GB DIMM Kingston 1600Mhz DDR3 CL11

ID: 6490 MPN: KVR16N11S8/4WP

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Memoria RAM 4GB DIMM Kingston 1600Mhz DDR3 CL11

Kingston 4GB  ValueRAM

Características Claves

  • Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1,5 V
  • VDDQ = 1,5 V
  • 800MHz fCK para 1600Mb / seg / pin
  • 8 bancos internos independientes
  • Latencia CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6
  • Latencia aditiva programable: reloj 0, CL – 2 o CL – 1
  • Precarga de 8 bits
  • Longitud de ráfaga: 8 (intercalar sin ningún límite, secuencial con dirección de inicio ”000” solamente), 4 con tCCD = 4 permitiendo la lectura o escritura sin problemas [ya sea sobre la marcha utilizando A12 o]
  • Estroboscopio de datos diferenciales bidireccionales
  • Calibración interna (auto): autocalibración interna a través de ZQ pin (RZQ: 240 ohmios ± 1%)
  • En la terminación usando el pin ODT
  • Período de actualización promedio 7.8us por debajo de TCASE 85 ° C, 3.9us a 85 ° C <TCASE <95 ° C
  • Restablecimiento asincrónico
  • PCB: altura 0,740 ”(18,75 mm) o 1,180” (30,00 mm)
Características
Memoria interna 4 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 4 GB
Tipo de memoria interna DDR3
Velocidad de memoria del reloj 1600 MHz
Componente para PC/servidor
Forma de factor de memoria 240-pin DIMM
ECC No
Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)
Latencia CAS 11
Clasificación de memoria 1
Voltaje de memoria 1.5 V
Configuración de módulos 512M x 64
Tiempo de ciclo de fila 48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila 260 ns
Tiempo activo en fila 35 ns
Perfil SPD Si
Placa de plomo Oro
Estándar JEDEC Si
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa 0 – 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje -55 – 100 °C
Peso y dimensiones
Ancho 133,3 mm
Altura 18,8 mm
Memoria
Cantidad de módulos 1

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  • 800MHz fCK para 1600Mb / seg / pin
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  • Precarga de 8 bits
  • Longitud de ráfaga: 8 (intercalar sin ningún límite, secuencial con dirección de inicio ”000” solamente), 4 con tCCD = 4 permitiendo la lectura o escritura sin problemas [ya sea sobre la marcha utilizando A12 o]
  • Estroboscopio de datos diferenciales bidireccionales
  • Calibración interna (auto): autocalibración interna a través de ZQ pin (RZQ: 240 ohmios ± 1%)
  • En la terminación usando el pin ODT
  • Período de actualización promedio 7.8us por debajo de TCASE 85 ° C, 3.9us a 85 ° C <TCASE <95 ° C
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Forma de factor de memoria 240-pin DIMM
ECC No
Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)
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Clasificación de memoria 1
Voltaje de memoria 1.5 V
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