Memoria RAM Servidor Intel Lenovo 32GB TruDDR4 3200MT/s (2Rx4 1.2V) RDIMM ECC
La confiabilidad, el rendimiento y la calidad de la memoria son aún más críticos hoy en día, ya que los clientes utilizan mayores capacidades de memoria para cargas de trabajo de Big Data Analytics, Cloud Computing, Virtualización, Database y High Performance Computing. Lenovo ofrece una cartera de memorias TruDDR4 para servidores ThinkSystem que ayudan a mejorar drásticamente el rendimiento de la carga de trabajo.
Características Claves
- Memoria interna: 32 GB
- Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 32 GB
- Tipo de memoria interna: DDR4
- Velocidad de memoria del reloj: 3200 MHz
- Componente para: PC/servidor
- Voltaje de memoria: 1.2 V
- Productos compatibles: ST650 V2 (7Z75 / 7Z74), SR630 V2 (7Z70 / 7Z71), SR650 V2 (7Z72 / 7Z73), SR670 V2 (7Z22 / 7Z23), SD630 V2 (7D1K), SD650 V2 (7D1M), SD650-N V2 (7D1N), SN550 V2 (7Z69), SR850 V2 (7D31 / 7D32), SR860 V2 (7Z59 / 7Z60)
Introducción
La memoria ThinkSystem TruDDR4 ofrece calidad, rendimiento y confiabilidad confiables y probadas en toda la cartera de ThinkSystem. Utilizamos componentes de memoria estándar de la industria de la más alta calidad provenientes de proveedores de DRAM de nivel 1. Solo la memoria que cumple con estos requisitos estrictos se selecciona para la memoria TruDDR4. Luego, se prueba la compatibilidad y se ajusta en cada servidor ThinkSystem para maximizar la confiabilidad.
Además, los DIMM de memoria TruDDR4 tienen una firma única programada en ellos para que su sistema pueda verificar que la memoria TruDDR4 está instalada en su sistema. Dado que la memoria se autenticará, los objetivos de extensión de memoria se habilitan solo cuando se detectan módulos DIMM de memoria TruDDR4. Junto con un menor consumo de energía, estos nuevos DIMM pueden proporcionar el TCO más bajo para los centros de datos.
Memoria de alto rendimiento
Lenovo ofrece opciones de memoria de alto rendimiento y alta capacidad en servidores ThinkSystem.
Memoria persistente
Los servidores Lenovo ThinkSystem configurados con Intel Optane Persistent Memory transforman la jerarquía de memoria/almacenamiento, lo que permite obtener información más rápida de los datos. Esta tecnología innovadora ofrece una memoria asequible de gran capacidad y alta velocidad con persistencia de datos y capacidades de cifrado avanzadas. Estos módulos compatibles con DDR4 aumentan significativamente la capacidad de la memoria del sistema disponible, manteniendo más datos calientes más cerca de la CPU y permitiendo una mayor eficiencia operativa al procesar conjuntos de datos más grandes con más instancias de usuario.
3DS RDIMM
Para satisfacer la demanda cada vez mayor de módulos de memoria de servidor de mayor densidad, Lenovo ofrece RDIMM DDR4 3DS (3 Dimensional Stacked) que aplican la tecnología TSV (Through Silicon Via) de nuestra asociación con un proveedor líder de DRAM de nivel 1. La nueva tecnología de pila TSV 3DS permite paquetes de pila DRAM de mayor densidad con mayor frecuencia operativa y menor consumo de energía. La configuración RDIMM junto con los paquetes 3DS TSV DRAM exhibe beneficios de rendimiento y un menor consumo de energía en comparación con las soluciones alternativas de alta densidad para, en última instancia, proporcionar el TCO más bajo para los centros de datos.
Memoria de rendimiento+
Las cargas de trabajo intensivas en memoria que necesitan una ventaja competitiva se beneficiarán de la memoria Performance+ de Lenovo. Los ingenieros de Lenovo trabajaron en asociación con los principales proveedores de memoria para desarrollar y ajustar los servidores ThinkSystem, lo que les permitió superar el último estándar de la industria para el rendimiento de la memoria. La memoria Performance+ de Lenovo ofrece un mayor ancho de banda y una latencia más baja a 2933 MHz con todos los canales de memoria totalmente ocupados.