Adata Ddr4 Sdram 8 Gb 2666 Mhz Unbuffered Non-Ecc So-Dimm 1.2V Bulk AD4S26668G19-BGN

* Imágenes referenciales

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Adata Ddr4 Sdram 8 Gb 2666 Mhz Unbuffered Non-Ecc So-Dimm 1.2V Bulk

SKU: 18580 | NÚMERO DE PARTE: AD4S26668G19-BGN | CONDICIÓN: NUEVO

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Con Transferencia electrónica

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AGOTADO

Qué opinan nuestros clientes en 

Fuente: Ratings en Google (ver)

Adata Ddr4 Sdram 8 Gb 2666 Mhz Unbuffered Non-Ecc So-Dimm 1.2V Bulk

DDR4 ofrece múltiples ventajas sobre generaciones anteriores DRAM y ADATA ofrece la más alta calidad y el rendimiento más rápido. Nuestros módulos de memoria SO-DIMM DDR4 2666 Premier para portátiles llegan con 8GB a 16GB para una actualización rápida y fácil en cualquier portátil compatible. Ofrecen transferencias de datos más rápidas que DDR3, además de un menor consumo energético que reduce el calor y aumenta la duración de la batería. Nuestra DDR4 también está optimizada para dar rienda suelta a la potencia de los últimos procesadores Intel.

Muy rápida y ultraeficiente

Los módulos DDR4 ADATA para portátiles aprovechan ventajas de la nueva generación de productos económicos y de alta fiabilidad. DDR4 ofrece un mayor rendimiento gracias a frecuencias más rápidas en comparación con DDR3, subiendo hasta 2666MHz. Esto lo consigue operando a tan sólo 1.2V, que es 20% menos que DDR3 en términos de consumo energético.

Cumple los exigentes estándares de las plataformas de nueva generación

  • Cumple con los estándares JEDEC
  • Compatible con RoHS
  • Soporta las plataformas Intel Skylake y Coffee Lake, preparado para futuras plataformas Kaby Lake y Cannon Lake

Garantía de por vida

Todos los módulos de memoria ADATA han sido producidos y probados usando rigurosos procesos de control de calidad para un procesamiento rápido y una operación estable. Además, los módulos de memoria ADATA ofrecen a los clientes una garantía de por vida para asegurar al máximo un servicio excelente.

Memoria interna : 8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) : 1 x 8 GB
Tipo de memoria interna : DDR4
Velocidad de memoria del reloj : 2666 MHz
Componente para : Portátil
Forma de factor de memoria : 260-pin SO-DIMM
ECC : No
Latencia CAS : 19
Voltaje de memoria : 1.2 V
Configuración de módulos : 1024M x 16
Estándar JEDEC : Si
Intervalo de temperatura operativa : 0 – 85 °C
Certificados de sostenibilidad : RoHS
Altura : 3 cm (1.18″)

Adata Ddr4 Sdram 8 Gb 2666 Mhz Unbuffered Non-Ecc So-Dimm 1.2V Bulk

SKU: 18580 | NÚMERO DE PARTE: AD4S26668G19-BGN

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DDR4 ofrece múltiples ventajas sobre generaciones anteriores DRAM y ADATA ofrece la más alta calidad y el rendimiento más rápido. Nuestros módulos de memoria SO-DIMM DDR4 2666 Premier para portátiles llegan con 8GB a 16GB para una actualización rápida y fácil en cualquier portátil compatible. Ofrecen transferencias de datos más rápidas que DDR3, además de un menor consumo energético que reduce el calor y aumenta la duración de la batería. Nuestra DDR4 también está optimizada para dar rienda suelta a la potencia de los últimos procesadores Intel.

Muy rápida y ultraeficiente

Los módulos DDR4 ADATA para portátiles aprovechan ventajas de la nueva generación de productos económicos y de alta fiabilidad. DDR4 ofrece un mayor rendimiento gracias a frecuencias más rápidas en comparación con DDR3, subiendo hasta 2666MHz. Esto lo consigue operando a tan sólo 1.2V, que es 20% menos que DDR3 en términos de consumo energético.

Cumple los exigentes estándares de las plataformas de nueva generación

  • Cumple con los estándares JEDEC
  • Compatible con RoHS
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Garantía de por vida

Todos los módulos de memoria ADATA han sido producidos y probados usando rigurosos procesos de control de calidad para un procesamiento rápido y una operación estable. Además, los módulos de memoria ADATA ofrecen a los clientes una garantía de por vida para asegurar al máximo un servicio excelente.

Memoria interna : 8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) : 1 x 8 GB
Tipo de memoria interna : DDR4
Velocidad de memoria del reloj : 2666 MHz
Componente para : Portátil
Forma de factor de memoria : 260-pin SO-DIMM
ECC : No
Latencia CAS : 19
Voltaje de memoria : 1.2 V
Configuración de módulos : 1024M x 16
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Intervalo de temperatura operativa : 0 – 85 °C
Certificados de sostenibilidad : RoHS
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